ଏଜ୍ ଏମିଟିଙ୍ଗ୍ ଲେଜର (EEL) ର ପରିଚୟ |

ଏଜ୍ ଏମିଟିଙ୍ଗ୍ ଲେଜର (EEL) ର ପରିଚୟ |
ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ଆଉଟପୁଟ୍ ପାଇବା ପାଇଁ, ବର୍ତ୍ତମାନର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ହେଉଛି ଧାର ନିର୍ଗମନ ସଂରଚନା ବ୍ୟବହାର କରିବା | ଧାର-ନିର୍ଗତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜରର ରେଜୋନେଟର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ଫଟିକର ପ୍ରାକୃତିକ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପୃଷ୍ଠକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଏବଂ ଲେଜରର ଆଗ ଭାଗରୁ ଆଉଟପୁଟ୍ ବିମ୍ ନିର୍ଗତ ହୁଏ | ଏଜ୍-ନିର୍ଗମନ ପ୍ରକାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରିପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଏହାର ଆଉଟପୁଟ୍ ସ୍ପଟ୍ ଏଲିପଟିକାଲ୍, ବିମ୍ ଗୁଣ ଖରାପ, ଏବଂ ବିମ୍ ଆକୃତିର ସିଷ୍ଟମ୍ ସହିତ ବିମ୍ ଆକୃତିର ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
ନିମ୍ନଲିଖିତ ଚିତ୍ରରେ ଧାର ନିର୍ଗତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜରର ଗଠନ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | EEL ର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ୟାଭିଟି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚିପ୍ ପୃଷ୍ଠ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚିପ୍ ଧାରରେ ଲେଜର ନିର୍ଗତ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଗତି ଏବଂ ନିମ୍ନ ଶବ୍ଦ ସହିତ ଲେଜର ଆଉଟପୁଟ୍ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିପାରିବ | ଅବଶ୍ୟ, EEL ଦ୍ୱାରା ଲେଜର ବିମ୍ ଆଉଟପୁଟରେ ସାଧାରଣତ as ଅସୀମେଟ୍ରିକ୍ ବିମ୍ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗ ଏବଂ ବୃହତ କୋଣାର୍କ ଭିନ୍ନତା ଥାଏ, ଏବଂ ଫାଇବର କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ଯୋଡିବାର ଦକ୍ଷତା କମ୍ ଅଟେ |

ସକ୍ରିୟ ଅଞ୍ଚଳରେ ବର୍ଜ୍ୟ ଉତ୍ତାପ ସଂଗ୍ରହ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ଦ୍ୱାରା EEL ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ସୀମିତ | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ସକ୍ରିୟ ଅଞ୍ଚଳରେ ଆବର୍ଜନା ଉତ୍ତାପ ସଂଗ୍ରହକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ତରଙ୍ଗ ଗାଇଡ୍ କ୍ଷେତ୍ର ବୃଦ୍ଧି କରି, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତିରୁ ରକ୍ଷା ପାଇବା ପାଇଁ ବିମର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାୱାର୍ ସାନ୍ଦ୍ରତାକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଆଲୋକ ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ବୃଦ୍ଧି କରି, ଶହ ଶହ ମିଲିୱାଟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉତ୍ପାଦନ ଶକ୍ତି ହୋଇପାରେ | ଏକକ ଟ୍ରାନ୍ସଭର୍ସ ମୋଡ୍ ୱେଭଗାଇଡ୍ ଗଠନରେ ହାସଲ କର |
100 ମିମି ୱେଭଗାଇଡ୍ ପାଇଁ, ଗୋଟିଏ ଏଜ୍ ଏମିଟିଙ୍ଗ୍ ଲେଜର ଦଶହଜାର ୱାଟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ହାସଲ କରିପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଏହି ସମୟରେ ତରଙ୍ଗ ଗାଇଡ୍ ଚିପ୍ ପ୍ଲେନରେ ଅତ୍ୟଧିକ ମଲ୍ଟି ମୋଡ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ବିମ୍ ଆସପେକ୍ଟ ଅନୁପାତ ମଧ୍ୟ 100: 1 ରେ ପହଞ୍ଚିଥାଏ | ଏକ ଜଟିଳ ବିମ୍ ଆକୃତିର ସିଷ୍ଟମ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ବସ୍ତୁ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ କ break ଣସି ନୂତନ ସଫଳତା ନାହିଁ, ଗୋଟିଏ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ଚିପ୍ ର ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ଉପାୟ ହେଉଛି ଚିପ୍ ର ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଅଞ୍ଚଳର ଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ଓସାର ବୃଦ୍ଧି କରିବା | ଯଦିଓ, ଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ଓସାରକୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ କରିବା ଟ୍ରାନ୍ସଭର୍ସ ହାଇ-ଅର୍ଡର ମୋଡ୍ ଦୋହରିବା ଏବଂ ଫିଲାମାଣ୍ଟ ପରି ଦୋହରିବା ସହଜ ଅଟେ, ଯାହା ହାଲୁକା ଆଉଟପୁଟର ସମାନତାକୁ ବହୁ ମାତ୍ରାରେ ହ୍ରାସ କରିବ ଏବଂ ଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ଓସାର ସହିତ ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ଆନୁପାତିକ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ ନାହିଁ, ତେଣୁ ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି | ଗୋଟିଏ ଚିପ୍ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସୀମିତ ଅଟେ | ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତିକୁ ବହୁଗୁଣିତ କରିବାକୁ, ଆରେ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସମାନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକାଧିକ ଲେଜର ୟୁନିଟ୍କୁ ଏକତ୍ର କରିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ each ାରା ପ୍ରତ୍ୟେକ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ ୟୁନିଟ୍ ଧୀର ଅକ୍ଷ ଦିଗରେ ଏକ-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଆରେ ଭାବରେ ଧାଡ଼ି ହୋଇ ରହିଥାଏ, ଯେପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ ୟୁନିଟ୍କୁ ପୃଥକ କରିବା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | , ଯାହା ଦ୍ they ାରା ସେମାନେ ପରସ୍ପର ସହିତ ହସ୍ତକ୍ଷେପ ନକରନ୍ତି, ଏକ ମଲ୍ଟି ଆପର୍ଚର୍ ଲେଜିଙ୍ଗ୍ ଗଠନ କରି, ଆପଣ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଲାଇଟ୍ ନିର୍ଗତ ୟୁନିଟ୍ ସଂଖ୍ୟା ବ by ାଇ ସମଗ୍ର ଚିପ୍ ର ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବେ | ଏହି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ଚିପ ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ଆରେ (LDA) ଚିପ, ଯାହାକୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲେଜର ବାର ଭାବରେ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |