ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ର ପ୍ରଭାବ PIN ଫୋଟୋଡେଟେକ୍ଟର୍ ଉପରେ |

ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ର ପ୍ରଭାବ PIN ଫୋଟୋଡେଟେକ୍ଟର୍ ଉପରେ |

ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ଗବେଷଣା କ୍ଷେତ୍ରରେ ହାଇ ପାୱାର୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପିନ୍ ଡାୟୋଡ୍ ସର୍ବଦା ଏକ ହଟସ୍ପଟ୍ |ଏକ PIN ଡାୟୋଡ୍ ହେଉଛି ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଯାହା P + ଅଞ୍ଚଳ ଏବଂ n + ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର (କିମ୍ବା ଅଳ୍ପ ଅପରିଷ୍କାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର) ର ଏକ ସ୍ତରକୁ ସାଣ୍ଡୱିଚ୍ କରି ନିର୍ମିତ |PIN ରେ ଥିବା i ହେଉଛି “ଅନ୍ତର୍ନିହିତ” ର ଅର୍ଥ ପାଇଁ ଏକ ଇଂରାଜୀ ସଂକ୍ଷିପ୍ତକରଣ, କାରଣ ଅପରିଷ୍କାର ବିନା ଏକ ଶୁଦ୍ଧ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ରହିବା ଅସମ୍ଭବ, ତେଣୁ ପ୍ରୟୋଗରେ PIN ଡାୟୋଡ୍ର I ସ୍ତର ଅଳ୍ପ ପରିମାଣରେ P ସହିତ ଅଧିକ ମିଶ୍ରିତ | -ପ୍ରକାର କିମ୍ବା N- ପ୍ରକାରର ଅପରିଷ୍କାରତା |ବର୍ତ୍ତମାନ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପିନ୍ ଡାୟୋଡ୍ ମୁଖ୍ୟତ Mes ମେସା ଗଠନ ଏବଂ ବିମାନ ଗଠନକୁ ଗ୍ରହଣ କରେ |

ଯେତେବେଳେ PIN ଡାୟୋଡ୍ର ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 100MHz ଅତିକ୍ରମ କରେ, କିଛି ବାହକଙ୍କର ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଇଫେକ୍ଟ ଏବଂ I ସ୍ତରରେ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଟ୍ ଟାଇମ୍ ଇଫେକ୍ଟ ହେତୁ, ଡାୟୋଡ୍ ସଂଶୋଧନ ପ୍ରଭାବ ହରାଇଲା ଏବଂ ଏକ ପ୍ରତିରୋଧ ଉପାଦାନ ହୋଇଯାଏ, ଏବଂ ଏହାର ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ବଦଳିଯାଏ |ଶୂନ୍ୟ ପକ୍ଷପାତ କିମ୍ବା ଡିସି ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକରେ, I ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ବହୁତ ଅଧିକ |ଡିସି ଫରୱାର୍ଡ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକରେ, କ୍ୟାରିଅର୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ହେତୁ I ଅଞ୍ଚଳ ଏକ ସ୍ୱଳ୍ପ ପ୍ରତିରୋଧ ସ୍ଥିତି ଉପସ୍ଥାପନ କରେ |ତେଣୁ, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଏବଂ ଆରଏଫ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ PIN ଡାୟୋଡ୍ ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ପ୍ରତିରୋଧ ଉପାଦାନ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ, ସିଗନାଲ୍ ସୁଇଚ୍ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ସୁଇଚ୍ ଡିଭାଇସ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ହୋଇଥାଏ, ବିଶେଷତ some କେତେକ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସିଗନାଲ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସେଣ୍ଟରରେ, ପିନ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଉନ୍ନତ ଅଟେ | ଆରଏଫ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କ୍ଷମତା, କିନ୍ତୁ ଫେଜ୍ ସିଫ୍ଟ, ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍, ସୀମିତତା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସର୍କିଟ୍ରେ ମଧ୍ୟ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ କାରଣ ଏହାର ଉନ୍ନତ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ, ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ମୁଖ୍ୟ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବହନ କରୁଥିବା ମ low ିରେ ଲୋ ଡୋପିଂ i ସ୍ତର ହେତୁ ପିନ୍ ଡାୟୋଡରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଓଲଟା କ୍ରିକଟିକ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ VB ଅଛି |ଜୋନ୍ I ର ଘନତା ବ and ାଇବା ଏବଂ ଜୋନର ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ହ୍ରାସ କରିବା ଦ୍ I ାରା ମୁଁ PIN ଡାୟୋଡ୍ର ରିଭର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବି, କିନ୍ତୁ ଜୋନର ଉପସ୍ଥିତି ମୁଁ ସମଗ୍ର ଉପକରଣର ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ VF ଏବଂ ଉପକରଣର ସୁଇଚ୍ ସମୟକୁ ଉନ୍ନତ କରିବି | ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣରେ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ନିର୍ମିତ ଡାୟୋଡ୍ ଏହି ଅଭାବଗୁଡିକ ପାଇଁ ପୂରଣ କରିପାରିବ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଗୁରୁତ୍ break ପୂର୍ଣ୍ଣ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡର 10 ଗୁଣ, ଯାହା ଦ୍ sil ାରା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ I ଜୋନର ଘନତା ସିଲିକନ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ର ଏକ ଦଶମାଂଶକୁ ହ୍ରାସ ହୋଇପାରେ, ଯେତେବେଳେ ଏକ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବଜାୟ ରଖେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ | , କ heat ଣସି ସ୍ପଷ୍ଟ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ସମସ୍ୟା ହେବ ନାହିଁ, ତେଣୁ ଆଧୁନିକ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସଂଶୋଧନକାରୀ ଉପକରଣ ହୋଇପାରିଛି |

ଏହାର ଅତି ଛୋଟ ଓଲଟା ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ହେତୁ, ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଚିହ୍ନଟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ବହୁତ ଆକର୍ଷିତ କରିଥାଏ |ଛୋଟ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ ଡିଟେକ୍ଟରର ଅନ୍ଧକାର କରେଣ୍ଟକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଶବ୍ଦକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ |ଉଚ୍ଚ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପିନ୍ ଡିଟେକ୍ଟର (PIN ଫୋଟୋଡେଟେକ୍ଟର) ର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତାକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡଗୁଡିକର ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ PIN ଡିଟେକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକୁ ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଆଲୋକ ଉତ୍ସ ଚିହ୍ନଟ କରିବାରେ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ ଏବଂ ସ୍ପେସ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେତୁ ଧ୍ୟାନ ଦିଆଯାଇଛି ଏବଂ ଏହାର ଅନୁସନ୍ଧାନ ମଧ୍ୟ ବହୁତ ବିକଶିତ ହୋଇଛି |